助力CPO发展！鸿海研究院携台大与KAUST　突破μ-LED通讯技术

在AI与资料中心推动下，传统电子互连面临频宽、延迟与功耗限制，急需新一代光学替代方案。GaN基μ-LED因具备高亮度、低功耗与高速开关特性，已成为可见光通讯（VLC）与晶片光互连的热门解方。此次研究团队结合台大林恭如特聘教授与KAUST Kazuhiro Ohkawa教授团队，发展出红、黄、绿、蓝四色高效率μ-LED阵列，突破波长分波多工（WDM）限制，有望推升光通讯容量与效率。

技术上，团队采用半极化磊晶设计蓝光与绿光μ-LEDs，并为红光与黄光元件加入应力释放层以减少QCSE（量子局限史塔克效应）影响，提升发光效率。元件制程则结合C型电极结构、ALD钝化层与DBR反射镜等技术，进一步优化光输出与热管理。实验成果显示，蓝光μ-LED透过DMT调变技术可达7.12 Gbit/s传输速率，绿光为5.36 Gbit/s，黄光与红光则运用QAM-OFDM技术，分别达3与2.25 Gbit/s，且皆达到FEC容错门槛。

在自由空间短距离传输测试中，RYGB μ-LEDs除具备优异数据传输能力，亦展现广色域显示潜力，可应用于智慧穿戴、车载显示及AR/VR装置。未来若搭配矽光子晶片与WDM架构，μ-LED技术可支援多通道高速传输，在晶片对晶片（chip-to-chip）通讯与CPO封装架构中实现低延迟、高频宽应用，成为资料中心升级与AI运算效能提升的要角。

鸿海研究院所长郭浩中表示，此次技术突破为μ-LED进一步商用化打下根基，未来也将积极探索其在智慧制造、车用光雷达与新型显示器中的可能性。随著全球对高速光互连与低功耗通讯需求持续攀升，台湾学研界在μ-LED领域的前瞻布局，将有机会在新世代光通讯架构中扮演重要角色。