从区域需求来看，大中华区的驱动IC、CIS市场相对疲弱，而欧美市场的AI与电源管理IC需求仍保持强劲，形成明显对比。此外，随著一线大厂退出8Gb DDR4市场，客户提前拉货，力积电DRAM代工需求迅速升温，目前已满载生产。尽管代工价格波动不如标准型产品剧烈，但平均单价（ASP）已自上月起逐步调升，预期相关效益将于3至4个月后反映至营收与毛利表现。
朱宪国表示，利基型24奈米SLC Flash已于本季进入正式量产，终端库存健康，客户备货意愿强劲。由于主流厂商有计划逐步退出SLC市场，力积电迅速填补空缺，设计导入案件表现佳，后续将成为公司稳定营收来源之一。
Interposer业务方面，力积电指出，目前以CoWoS-S产品为主，CoWoS-L已进入客户设计定案阶段，整体占营收比重已达2%。该技术结合矽电容DRAM制程与铜线后段逻辑制程，预计将有效取代部分毛利较低的传统DRAM与逻辑产品。力积电董事会亦已通过扩产资本支出案，将于今年与明年陆续展现毛利贡献。
此外，DRAM堆叠平台开发进展顺利，DRAM四层WoW堆叠与友厂先进逻辑制程晶片验证顺利进行，与DRAM八层WoW堆叠技术也配合客户开发中，搭配Interposer将成为3D AI Foundry业务主要获利来源。
在氮化镓（GaN）市场方面，美国氮化镓大厂纳微半导体（Navitas）日前宣布与力积电建立战略合作伙伴关系，开发中的8吋GaN技术已完成100V平台开发，并开始对客户送样，预计第四季开始小量生产。650V平台方面，由于台积电（2330）日前证实，将在2年内陆续退出该市场，在纳微发布公告后，吸引美日客户大幅提升询问度。力积电也宣布将增设机台扩充GaN产能，以满足快速成长的市场需求。
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