半导体晶圆代工大厂在7月法说会中指3奈米、5奈米以及未来的2奈米需求非常高，已经很长时间没有看到如此强劲的需求了，客户积极进行设计定案（tape-out），预期2奈米的增长曲线与3奈米相似。由于2奈米世代电晶体架构将由FinFET跨越至GAAFET，此架构转变预计将大幅推升晶片制程验证与故障分析（FA）需求。
随著先进制程研发所需的分析工作量已超出晶圆代工厂内部实验室负荷，加上新制程研发讲求时效，使得近年晶圆代工厂对材料分析（MA）与故障分析（FA）的外包需求持续成长。目前闳康已于台湾与日本建构完善的实验室网络。预期随著晶圆代工厂大厂加快先进制程升级与扩产脚步（2奈米如期量产、3奈米产能大幅开出），以及国际大厂积极投入AI晶片研发，预期MA与FA委外检测需求将持续走高，也为闳康后续营运注入乐观动能。
闳康导入的最新一代高解析度红外线与静态电流分析平台 PHEMOS-X。这套系统属于目前故障分析领域的顶尖利器，能感测晶片中极微弱的光与热辐射讯号，精准定位奈米级制程晶片的缺陷与hotspot热点失效位置。透过先进的红外线影像与静态电流成像技术，PHEMOS-X可有效侦测2奈米以下晶片制程中的潜在瑕疵，提供比传统方法更高解析度的失效分析解决方案。此设备特别适用于AI加速器、ASIC等高密度晶片的开发阶段，成为AI晶片进入量产前不可或缺的关键分析工具。
闳康对于分析技术及先进仪器的布局往往领先业界之先，此机台的导入将能使过往难以解析的先进制程缺陷迎刃而解，可即时满足半导体大厂对先进制程FA的高阶需求， 亦可带动闳康承接案件的规模与单价同步提升。
展望未来，随著AI与HPC对先进制程的需求持续升温，以及全球晶圆代工厂全力推进2奈米与3奈米节点技术，市场对半导体检测与分析服务的需求将呈现结构性成长。闳康不仅掌握区域实验室布局优势，更透过导入PHEMOS-X等高阶设备，显著拉升其FA技术与接案单价门槛，进一步强化公司在AI晶片分析领域的竞争力。在全球半导体制程验证与失效分析外包趋势愈加明确的背景下，闳康有望持续受惠于此产业大浪潮，加速推进营收与获利成长动能。
點擊閱讀下一則新聞
