汉磊指出，上半年合并营收26.62亿元、年减6.8%，每股亏损1.02元。总经理刘灿文表示，下半年与上半年相较将有双位数成长，化合物半导体整体回升，其中GaN动能转弱、由SiC接棒，尤其看好SiC切入资料中心HVDC架构的需求复苏。
汉磊强调，迎战下一波成长的关键武器为即将量产的SiC MOSFET Gen4平台。该平台已完成主要客户可靠度验证，相较第三代产品，效能提升逾20%、晶片面积缩小约20%，有助客户以更小晶粒获得更佳导通/损耗表现，提升系统成本竞争力。公司规划今年第4季开始小量生产，2026年有望成为营收主力。
此外，汉磊与世界先进合作8吋化合物半导体SiC产线，采技术＋客户由汉磊负责、营运由世界先进的分工模式，诉求以更具成本效率的方式扩充供给。新线月产能规划1,500片，预计2026年第二季试产、第四季即可针对工业与消费性产品量产，为中长期成长奠定基础。
汉磊看好AI资料中心功耗攀升、800V级HVDC架构普及，将带动SiC功率元件渗透率加速提升；除电动车、光储充外，家电、空调、压缩机等亦见导入迹象。GaN方面，虽短期动能不如SiC，但受惠高效率、小体积特性，在人形机器人关节马达驱动等新兴应用可望打开缺口。
针对外界热议的12吋SiC进入先进封装领域议题，汉磊与嘉晶董事长徐建华表示，该议题与两家公司目前并无直接关联。徐建华指出，SiC基板长期供应格局或因非中系选择增加而变化，但以现阶段而言，对汉磊与嘉晶的实质连动仍有限。
點擊閱讀下一則新聞
嘉晶上半年亏损3980万元 资源转进8吋矽磊晶、抢非中供应链商机
