李培瑛指出，回顾这波DRAM上涨因素，由于AI训练与推论需要高频宽记忆体（HBM）、高速DRAM支撑，自2024年中起，生成式AI推升AI伺服器及HBM需求，带动价格快速回升。虽AI伺服器目前仅占整体DRAM约8～9%，但动能强劲；同时非AI应用仍在调整，使市场两极化。
在供给端，国际大厂将产能转向DDR5与HBM，DDR4、DDR3供应明显低于需求，价格反转上行并推升整体报价。李培瑛说，DRAM产线转产不具高度弹性，涉及制程、设备与成本，短期难完全回补DDR4缺口。
他指出，DDR4与LPDDR4合计仍占市场逾2成，PC与伺服器逐步导入DDR5，但消费性产品转换较慢，短期仍以DDR4为主，中低阶应用亦是。
价格方面，第三季南亚科DRAM整体平均价格（含DDR3／4／5）较上季上涨约2成，部分产品涨幅达40%。他强调，2022～2023年连跌近三年，此番回升属「补回超跌」，为产业健康修复；第四季平均价格仍有上行机会。
营运面来看，南亚科第四季展望明确正向，毛利与获利预期优于第三季。公司正设法提升产出以满足客户需求，现阶段仍见缺货，目前并无重复下单情形。对于2026年，李培瑛预期价格维持相对稳定、营运延续成长，应该会是很不错的一年。
产品与客户布局方面，南亚科DDR5目前约占出货1成，第三季已获多家客户验证，第四季将续扩比重。李培瑛表示，虽DDR5「甜蜜度」不如DDR4，但属未来必经产品线，将依客户需求调整产能配置。
技术研发方面，南亚科与钰创合资开发「Compute in Memory」Edge AI记忆体产品进展顺利，目标2026年开始小量贡献、2027年放量。
针对稀土管制影响，李培瑛表示，南亚科生产线所用材料受影响有限，但地缘政治确实可能带来间接冲击，尤其是全球贸易与经济波动面，直接影响不大，但间接影响整体经济与股市信心。
李培瑛强调，南亚科将持续强化AI与高阶应用产品布局，同时稳健经营传统记忆体市场，提升营运体质与股东报酬。他强调，这波涨势虽强，但公司会以理性态度面对市场波动，让营运逐步回归健康轨道。
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