外资分析，随著AI应用逐步由模型训练迈向推论阶段，全球云端服务供应商（CSP）持续加码资料中心投资，不仅推升AI伺服器出货，一般型伺服器需求亦同步成长，使记忆体需求全面扩散至HBM、伺服器DRAM与资料中心储存等多个产品线。
外资预估，2026年全球DRAM与NAND位元需求年增率将分别达21.7%与19.7%，其中DRAM市场规模上看2,750亿美元、年增近一倍，NAND市场亦将年增逾一倍。
价格方面，外资指出，自2025年下半年起记忆体供需明显转趋吃紧，特别是AI伺服器大量采用LPDDR5，使行动DRAM产能遭排挤，推升整体DRAM价格。预估2025年第四季伺服器DRAM合约价单季涨幅将超过五成，并延续至2026年上半年；NAND则受惠于资料中心eSSD需求成长与HDD供给受限，价格自2025年第三季起走扬，并一路延续至2026年。
在HBM领域，外资预估2026年全球HBM市场规模将达591亿美元，年增近五成，主要成长动能来自ASIC AI晶片规格升级与HBM4世代推进。随著辉达Rubin平台于2026年导入，HBM4预期将于下半年加速放量。尽管SK海力士仍可望维持领先地位，但外资认为技术差距正逐步缩小，三星电子有机会在HBM4世代重新取得竞争优势。
整体投资评等方面，外资重申对全球记忆体产业「正向」看法，并维持对主要厂商的买进评等，其中首选三星电子，其次看好SK海力士与Kioxia，同时上调三星、SK海力士、美光及南亚科目标价。外资亦提醒，仍须留意大型云端业者因电力或资金因素延后资料中心建设，以及记忆体价格快速上涨，对终端需求可能造成的抑制风险。
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