据wccftech报导，SK海力士于台积电北美技术论坛的展会中，首次对外公开展示HBM4产品，揭露核心规格，包含最高48GB容量、每秒2.0TB（2.0 TB/s）频宽，以及单一I/O速率达8.0Gbps的性能表现。SK海力士指出，HBM4将在2025年下半年量产，最快可以在年底可以看到应用产品，助力客户持续推动AI市场发展。
目前HBM赛道中，SK海力士相较于三星（Samsung）、美光（Micron）推出产品速度更为领先，进一步巩固在该市场的领先地位。SK海力士也展示16层（hi）堆叠的HBM3E产品，拥有每秒1.2TB（1.2 TB/s）频宽。
辉达（NVIDIA）执行长黄仁勋在GTC 2025主题演讲宣布基于Blackwell架构NVIDIA Blackwell Ultra平台，包含NVIDIA GB300 NVL72机架解决方案与NVIDIA HGX B300 NVL16系统。GB300 NVL72相比于NVIDIA GB200 NVL72，提供1.5倍的AI性能，将于下半年开始出货。根据辉达规划路径来看，Vera Rubin将开始导入HBM4，SK海力士近年透过MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill)技术、矽穿孔（TSV）技术，成功实现高层数堆叠，展现先进制程与封装技术创新实力。
SK海力士也推出一系列伺服器记忆体模组，包含RDIMM与MRDIMM产品，新一代模组基于c DRAM制程打造，速度最高可达12,500MB/s。其中，MRDIMM系列支援每秒12.8Gbps的传输速度，容量涵盖64GB、96GB及256GB，RDIMM则有8Gbps速度版本，涵盖64GB与96GB，亦有支援256GB的大容量3DS RDIMM产品。
SK海力士表示，新一代伺服器记忆体模组不仅提升AI运算与资料中心效能，同时提升能耗表现，符合AI资料中心对高速运算、低功耗的记忆体需求。
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