根据韩媒报导，台积电已经接到客户2奈米订单，并预计在今年下半年于新竹宝山与高雄两座先进制程晶圆厂进行生产，相较于3奈米，台积电2奈米采用GAA架构，实现10%至15%性能提升，功耗降低25～30%，电晶体密度也将提升15%。
至于三星，透过先前财报指出，将在今年下半年开始量产2奈米晶片。三星是业界率先导入GAA架构的厂商，但因初期良率不佳导致进展受限，业界认为，三星希望凭借过往经验，进一步稳定2奈米量产表现与良率。
报导也提到，调研机构Counterpoint Research指出，今年第一季台积电在全球晶圆代工市占率达到67.6%，稳坐龙头宝座，2奈米制程良率更是突破60%，达到稳定量产门槛，反观三星，市占率仅7.7%，目前良率约40%，仍有提升空间。
台积电董事长魏哲家日前在法说会也透露，2奈米需求已超越3奈米，来自智慧型手机与高效能运算（HPC）的应用需求大增，并提到2奈米前两年新产品头片数量，已经超过3奈米，甚至是5奈米家族的需求。
Counterpoint Research预估，台积电今年第四季2奈米产能将会满载，进度超过历代制程节点，预期苹果、高通、联发科、AMD，甚至是英特尔，都是其客户。三星则是在近期动作频频，不仅招揽前台积电高层Margaret Han，负责掌舵其美国晶圆代工业务，显见其进军先进制程市场的决心。
英特尔则是力拚在18A制程的表现，英特尔晶圆代工服务总经理Kevin O’Buckley在近期活动中坦言，公司目前的确有进度落后的情况，但是强调18A制程正在重回正轨，预计在2025年下半年进入量产阶段，有信心在先进制程领域的表现。
相比之下，三星还得面对记忆体竞争的问题，根据Counterpoint Research资料显示，三星在全球DRAM市占率在第一季来到34％，竞争对手SK海力士（SK hynix）来到36%，龙头宝座拱手让人，美光则是25%。
若以HBM来看，SK海力士市占率更是来到70%，目前SK海力士与美光都已经将HBM4送样，三星仍卡在HBM3E未通过辉达验证，但是AMD上周举行的 AI Advancing 2025 活动，宣布新款 AI 加速器 MI350X 和 MI355X 将搭载三星和美光的12层堆叠HBM3E，让三星稍微获进展。
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