南亚科第三季营业毛利达34亿6,500万元，毛利率18.5%，较上季改善达39.1个百分点；营业净利11.19亿元，营业净利率6%，季增幅达48.8个百分点，营业外收入为9.04亿元，税后净利15.63亿元，单季每股盈余（EPS）0.5元（每股盈余依加权平均流通在外股数30.99亿股计算），较上季每股亏损为1.32元由亏转盈，每股净值回升至50.78元。
南亚科指出，第三季业绩明显转强，主要受惠于AI应用需求持续爆发，加上非AI市场供给吃紧，整体DRAM景气自谷底反转。南亚科总经理李培瑛表示，AI伺服器与一般云端运算需求持续扩大，成为带动DRAM市场成长的最大动能。展望未来，预期2026年AI相关需求仍可维持成长，且AI应用将逐步从云端延伸至非云端市场，例如边缘运算（Edge）及客制化应用领域，带动新一轮结构性成长。
在供给面上，全球主要DRAM供应商已陆续降低DDR4与LPDDR4的产出，并将产能转向高端产品如HBM与DDR5／LPDDR5，显示产业正快速向高阶制程与高附加价值产品转移。李培瑛指出，DRAM制造端库存目前维持在健康水位，资本支出也集中于先进制程与高端产品，供应链的结构性调整有助于市场稳定。
在需求面方面，伺服器领域仍是AI与高效能运算的重要推力，HBM与DDR5需求维持强劲。PC与手机市场亦因新机推出而提升DDR5与LPDDR5搭载容量，同时带动更多AI应用整合进入终端装置。至于消费型电子产品市场，受惠于景气回稳与应用升级，对DDR4及LPDDR4的需求明显回升，使整体产品结构更加平衡。
技术方面，南亚科积极推进10奈米级第二代制程（1B）量产，其16Gb DDR5-5600产品出货量已达整体出货的10%，DDR5-6400亦通过设计规格测试并达量产标准。第三代与第四代制程（1C／1D）均已如期试产，公司在制程技术上稳健前进，展现良好的技术延续性。同时，南亚科在TSV与DDP封装技术，以及客制化HBM产品的研发上也进展顺利，朝高阶AI与资料中心市场应用迈进。
李培瑛强调，AI需求强劲带动新一轮半导体景气循环，记忆体市场正进入结构性回升阶段。公司除持续推进先进制程，也将加强DDR4及LPDDR4系列产品的销售，以满足不同客户与应用市场需求。
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