陈沛铭指出，第三季获利显著改善，主要受惠记忆体售价回升及库存评价回冲效益，使毛利率表现优于上季。他强调，即使第四季起不再有一次性回冲因素，公司仍预期在价格支撑与DDR3、DDR4稳定需求下，毛利率可望持续上升。华邦并看好未来随16奈米制程导入与产品组合调整，整体获利能力将进一步提升。
他指出，高雄厂16奈米DRAM产线贡献度持续提升，Flash产品线后段测试瓶颈已解除，45奈米制程全面推广，有助强化高密度Flash于行动装置、穿戴式与车用市场的竞争力。第三季多数订单于第二季签订，公司未急于出货，成长主要依既有订单执行。展望第四季，随新订单出货启动，平均售价（ASP）与位元出货量（Bit Growth）均可望显著提升。
陈沛铭分析，记忆体市场已进入结构性上行循环。NOR Flash受原物料成本与终端需求回升带动，自第三季起止跌回升；SLC NAND供给吃紧，价格续涨。CMS产品线中DDR4与DDR3合约价维持上行，预期涨势可延续至2026年。随主要竞争对手逐步退出DDR4市场，全球供给出现结构性缺口，华邦等具成熟制程优势的厂商将明显受惠。
华邦董事会日前通过新台币355.09亿元资本支出，将投入生产设备、厂务工程与研发资源，预计自2025年10月起陆续执行。陈沛铭补充，2026至2027年间总资本支出将达400亿元。公司预期，AI运算、车用电子与工控需求将成为长期成长动能，16奈米制程CMS已完成试产准备，8Gb DDR4与LPDDR4产品线预计2026年量产；Flash与CMS扩产同步推进，次世代CUBE专案则预期于2027年带来显著营运贡献。
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