AI爆发改写运算需求 HBM率先吸走记忆体产能资源
回顾这波记忆体行情的起点，关键在于AI应用对运算架构的根本改变。随生成式AI模型规模快速放大，无论训练或推论阶段，皆高度仰赖高频宽与高速存取能力，使高频宽记忆体（HBM）成为AI伺服器不可或缺的关键元件，也成为近年成长动能最强的记忆体产品线。
工研院产科国际所IEK产业分析师刘美君指出，AI运算需求已出现明显的结构性转变。过去运算量约每两年翻倍，如今加速至「每六个月翻倍一次」，在模型规模与工作负载同步放大的情况下，单靠逻辑制程微缩已难以支撑系统效能，从频宽、延迟与功耗表现，逐步成为AI发展关键瓶颈，也直接改变其在整体架构中的战略定位。
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这波记忆体缺货与涨价潮中，最具反差的是成熟产品DDR4。由于原厂持续减产，并将产能转向HBM与DDR5，DDR4供应急速收缩，价格涨幅甚至一度超过新世代产品，迫使包括南亚科、华邦电等台湾DRAM供应商启动扩产以回应市场需求。
华邦电去年10月董事会核准资本支出新台币355.09亿元，主要投入生产设备、厂务工程与研发，相关支出预计自2025年10月起陆续执行。总经理陈沛铭于法说会指出，2026至2027年间资本支出规模将进一步放大至约400亿元。
陈沛铭表示，公司看好AI运算、车用电子与工控市场的长期成长，16奈米CMS产线已完成试产准备，8Gb DDR4与LPDDR4产品线规划于2026年量产，成为短中期营运动能，同时Flash与CMS同步扩产，次世代CUBE专案预期自2027年起逐步挹注营运。
南亚科总经理李培瑛则指出，自2024年年中起，生成式AI推升AI伺服器与HBM需求，成为带动记忆体价格回升的关键。尽管AI伺服器仅占整体DRAM约8%至9%，但其单位产品对产能、制程与资源的消耗远高于传统应用，使市场动能明显分化。
南亚科旗下封测厂福懋科日前宣布，新建五厂一期先进封装无尘室，预计2026年5月完成机电工程，下半年试量产，导入晶圆凸块、RDL与TSV等制程，锁定AI伺服器与DDR5高容量模组。既有云林四厂已满载，新厂投资约7亿元，集团亦同步加码厂务设备，显示实际资源已到位，配合需求调整产能与制程布局。
DDR4缺口为何回不来？「设备拆了就不会装回去」
这波缺货潮之所以难以快速缓解，关键在于原厂产线结构已发生不可逆转的变化。威刚科技董事长陈立白指出，DDR4产品线的缺口「非常严重」，三大记忆体原厂几乎已全面停产，仅保留极少量产能履行既有长约（LTA），其余产能多已转向DDR5或更高阶产品。
陈立白直言，这并非价格问题，而是产线结构问题，「既然设备都拆了，就不可能再装回去」。对原厂而言，产线转换涉及制程条件、设备配置与成本结构，不是短时间内能够逆转的决策，即便DDR4价格回升，也不足以支撑原厂重新配置资源，市场供给缺口因此持续扩大。
在供需错配下，缺货的先后顺序逐渐明朗。陈立白指出，目前市场上缺货情况最严重的仍是DDR4，其次是DDR5，接著才轮到NAND，最后才是HDD。这样的排序，正反映出原厂产能转移与应用需求变化的实际状况。
价格率先失控 现货市场成为领先指标
在DDR4产线结构难以回头、供给调整弹性受限的情况下，记忆体市场已率先透过价格反映供需失衡程度。当原厂产能持续转向HBM与高阶产品线，价格不再等待合约市场修正，而是由现货市场率先表态，并逐步牵动整体价格结构。
TrendForce分析师王豫琪指出，2025年以来DRAM产品价格涨幅约落在100%至150%之间，而现货市场主流产品涨幅更为剧烈，约达4至5倍，部分DDR4产品甚至出现超过10倍的涨幅。王豫琪强调，现货市场向来被视为价格变化的领先指标，在供需快速翻转时，涨跌节奏自然较合约市场更为剧烈。
在NAND Flash方面，TrendForce分析师敖国锋指出，2025年市场呈现「现货先行」走势，自8月起价格开始上扬，至2025年第四季合约价平均涨幅已超过三成，主要动能来自AI与一般型伺服器需求同步升温。目前观察，这波需求有机会延续至2026年全年，成为支撑NAND Flash价格维持高档的重要因素。
从抢货到抢产能 供应链竞争结构出现质变
AI伺服器需求快速升温，也正改变供应链竞争结构。陈立白指出，云端服务商（CSP）如Microsoft、Google下单量庞大，让原厂一时措手不及，目前DDR4、DDR5、NAND与HDD几乎全面吃紧，「米缸都见底了」。对模组厂而言，抢货的对手已不再只是同业，而是直接面对CSP客户，供应链竞争层次明显拉高。
CSP巨头亲自下场抢记忆体，也引发市场高度关注。据外媒报导，市场传出Google已开除一名采购主管，主因在于未能及早与大型记忆体供应商签署长期合约；另一方面，Microsoft主管亦被指因SK海力士难以配合其供应需求而表达不满，显示记忆体供需已成为左右AI竞争格局的关键因素。
同时，HBM高度消耗先进制程与封装资源，使有限产能被快速吸收。当原厂将资源优先配置于HBM与高阶DDR5产品，通用型记忆体供应自然受到排挤，整体供给结构随之收敛，缺货状态也逐步被市场视为常态。
AI与地缘政治交织 产能紧张短期难以化解
Counterpoint Research研究总监MS Hwang指出，本轮记忆体价格上涨周期与过去多个循环明显不同，关键在于同时受到AI技术变化与中美冲突等地缘政治因素影响，进而改变原厂的长期策略布局。
MS Hwang指出，部分南韩与中国厂商即使面临DDR4与LPDDR4价格仍处高档，仍选择降低相关产品的生产比重，未回头扩产；相对地，HBM产能则持续扩张，即便单晶圆营收未必高于通用型记忆体，仍被视为具中长期战略价值的技术方向。
MS Hwang认为，这样的产能配置模式，与1990年代初至中期在国际半导体紧张局势与PC普及浪潮下出现的结构性转变相当类似，显示产业循环节奏已与过往不同。就供给面来看，业界普遍认为记忆体产能紧张状态可能延续至2027年，即便2026年DRAM产量成长率上修，实际产出仍受无尘室空间、制程转换与良率等因素制约。
价格只是结果 真正改变的是产业规则
综合各厂商与研究机构观察，这一轮记忆体行情已不再只是传统景气循环中的价格反弹，而是AI需求、地缘政治风险与原厂长期策略交织下的结构性重组。当产能被重新分配、部分产品线退出主流市场，供需失衡便不再容易透过短期扩产修正。
从HBM需求爆发到股价剧烈反应，市场看到的不是单一行情，而是一套新规则正在形成。价格上涨只是结果，真正值得关注的，是记忆体产业的游戏规则正在被重新改写，这场由AI点燃的记忆体狂潮，恐怕不会只是一场短暂波动，而是改变产业节奏的长期转折点。
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