从研发大将到「叛将」：跳槽三星震惊业界
如今罗唯仁事件备受讨论，回顾梁孟松当年引发的风暴，更能理解当前人才战的敏感性与结构性。
梁孟松为台积电前研发资深处长，具加州伯克莱博士学历，1992 年加入台积电，是打下台积电技术地位的重要功臣，手握近 500 件专利，2003 年更以 0.13 微米铜制程击败 IBM，使台积电跃升全球先进制程领导者。他与蒋尚义、余振华、林本坚、孙元成、杨光磊并列「台积电研发六骑士」，是当时最受瞩目的台积电高阶人才。
2006 年蒋尚义退休后，梁孟松一度被视为研发副总接班人，但最终不如预期，由孙元成出线。梁孟松于 2009 年离开台积电，17 年生涯划下句点。竞业禁止期满后，他于 2011 年加入三星，担任 LSI 技术长与晶圆代工业务副总，正值三星与台积电竞逐苹果 A 系列处理器订单关键时刻。他主导三星跳过瓶颈重重的 20 奈米技术，直接切入 14 奈米 FinFET，使三星成功抢下部分 A9 订单。
当台积电惊觉不对后，随后向法院提告，指控梁孟松在三星任职期间泄露技术细节，案件最终判决要求梁孟松在 2015 年底前不得再替三星提供服务。诉讼中，梁孟松曾在法庭上情绪激动，痛批公司未重视他的贡献，甚至形容8个月被晾在一旁的调职安排，让他「难堪又侮辱」，并强调自己不是叛逃敌营，指控外界报导伤害其名誉。
到中芯国际再创进展：带队打造中国首颗 FinFET 晶片
最终，梁孟松与台积电的诉讼败诉，被判在2015年12月31日之前，不能以任职或以其他方式，继续为三星提供任何服务。
然而，中国半导体业界却为梁孟送打开新一扇窗。2017 年，时任中芯国际董事长周子学找上梁孟松，他随即加入并担任联合 CEO。不到一年，他便打造出中国首颗 FinFET 制程晶片，并推动后续 N+1、N+2 技术节点。期间他也曾因老长官蒋尚义短暂加入中芯国际独董而起冲突，但最终仍留任至今，并带领团队在没有EUV机台的情况下持续推进制程节点，担负著中国晶圆代工产业往先进制程迈进得重责大任。
梁孟松在三星与中芯的角色，使他成为影响全球半导体势力分布的关键人物，也让台湾意识到技术人才外流的战略层级。
梁孟松离开台积电的主因：人事安排、文化磨合与罗唯仁角色
多年来，业界对梁孟松离职的真正原因仍议论不断。台积电前研发处长杨光磊曾向媒体透露，梁孟松个性强势、要求完美，在组织内树敌不少，也自认对台积电的贡献应超越孙元成。
然而，最关键的一点，是他从出差回来后被调到基础架构专案处，甚至原办公室被隔成四个位置，而这项安排据传由当时已转入台积电研发体系的罗唯仁提出，被视为压倒梁孟松最后一根稻草。
外界认为，这段内部人事摩擦，使梁孟松对公司深感失望，也奠下后续的跳槽连锁效应。
从梁孟松到罗唯仁，不只台积电面对问题、科技外流更是国安议题
梁孟松跳槽事件引发的争议，促使政府修订《营业秘密法》，增订窃取、侵占与不正取得营业秘密的刑责；2022 年《国家安全法》再进一步将「国家核心关键技术」纳入保护范围，如今 2 奈米泄密案的三名被告，就是依此规定起诉。
这些制度变化，象征台湾开始正视人才外流可能带来的国安风险，而不再只是单纯的公司内部事件。
台湾经济研究院总监刘佩真指出，罗唯仁掌握的技术脉络、决策流程与研发组织运作，若被带往英特尔，将可能助攻 18A 制程推进，甚至影响英特尔恢复晶圆代工业务的速度；同样的逻辑也完全适用于梁孟松。
无论是当年赴三星的梁孟松，或如今加入英特尔的罗唯仁，这些事件共同揭示一件事：半导体人才流动，已从企业竞争上升至国家战略。
过去「叛将」多流向三星、中芯，今日则是直接流入美国本土供应链，在美中科技战升温下，先进制程人才已成全球抢夺的稀缺战略资源。
从梁孟松、罗唯仁到近期其他跳槽案例，台积电面对的不只是研发竞争，也包括全球挖角压力、法规保护不足、供应链地缘政治与国安风险的多重挑战。每一次高阶人才的出走，都不再是个人的职涯选择，而是全球科技产业秩序的变动。
點擊閱讀下一則新聞
