「未来科学大奖」是由大中华区科学家和企业家共同创立的民间科学大奖,每个奖项奖金为100万美元,表扬国际间具有重大影响力、展现科学原创精神与长远价值的杰出科学家。卢志远长年带领旺宏电子研发团队,成功开创并完善多项突破性技术,发明并主导了新一代非挥发性记忆体(Non-Volatile Memory, NVM)技术研发,包括:高密度4-bit-per-cell记忆体晶片,微缩至深度奈米的BE-SONOS元件、三维垂直闸极(3D Vertical Gate) 结构的NVM、具备晶片内自我修复功能的高可靠度记忆体,以及打造超高速、超高容量的3D记忆体解决方案,与结合AI运算迈向「存算一体」的高规格记忆体前瞻需求,以应用于人工智慧、行动装置、云端运算与边缘运算等领域。

对于获此荣耀,卢志远强调,这份殊荣不仅是对他身为科学家长期深耕半导体领域的嘉勉,更是对旺宏电子研发团队实力的高度肯定。尤其,他要特别感谢旺宏吴敏求董事长多年来坚持研发自有技术,全力支持研发团队,让旺宏能在稳健的道路上持续迈进,为半导体领域的卓越创新和发展做出贡献。至于百万美元的奖金,他表示将捐助学术研究机构,以协助开发前瞻半导体技术,并且拟设置奖学金,鼓励更多优秀的年轻学子投身于科学研究。

卢志远1977年于美国哥伦比亚大学获得物理学位,先后任教于国立阳明交通大学,并参赞行政院科技顾问组等。1984年受聘至美国AT&T贝尔实验室领导研究计划多年,在加入旺宏电子之前,卢志远于1989年受邀自美返台出任工研院电子所副所长,之后负责主持台湾最大科专计划─经济部次微米计划,完成台湾DRAM独立研发及量产技术,不但让台湾具备八吋晶圆产制能力,更成功将台湾推向世界高科技舞台。次微米计划于1994年衍生成立世界先进公司,卢志远先生为世界先进共同创办人及副总经理,之后于1998年升任为总经理,成为催化台湾DRAM产业的重要推手。他并于1999年创立晶圆测试公司欣铨科技,目前他也是欣铨科技董事长。 

卢志远已发表超过600篇学术及技术​论文,更拥有160余项国际专利。他并获任电机电子工程师学会(IEEE)及美国物理学会院士,也膺选中华民国科技管理学会院士。卢志远先生担任IEEE电子元件期刊编辑长达15年,并获颁2012 IEEE Frederik Philips Award、IEEE千禧杰出奖章、行政院杰出科学与技术人才奖、潘文渊文教基金会研究杰出奖、中华民国物理学会特殊贡献奖、经济部及中华民国全国商业总会颁予最佳商人之金商奖、台大杰出校友、阳明交大名誉、工研院院士、总统科学奖、世界科学院(TWAS)工程科学奖及其院士、中华民国科技管理学会之科技管理奖、美国国家发明家学院院士​​、中央研究院院士、中国材料科学学会材料科技贡献奖及应用物理界荣誉大奖美国物理学会(APS) George E. Pake Prize等国内外重要奖项。 

未来科学大奖创立于2016年,共设立「数学与计算机科学奖」、「生命科学奖」与「物质科学奖」三大奖项,由国际优秀科学家组成科学委员会专业评审,旨在奖励在大陆、香港、澳门、台湾取得杰出科学成果的科学家(不限国籍),以创新模式带动更多民间资金推动基础科学研究,促进科学事业发展。台湾曾获奖者包括台积电前研发副总经理林本坚(2018年)及阳明交通大学终身讲座教授施敏(2021年)。


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