力积电法说会｜DRAM代工价格Q4续扬　供需紧俏将延至明年上半年

朱宪国说明，利基型DRAM因原厂将产能转向高阶HBM产品而受到排挤，价格持续上涨；SLC NAND在三星与海力士减产下自谷底反弹，但因市场多为标案需求且缺乏新应用，涨势相对温和；NOR Flash则因AIoT应用扩大而价格明显上扬。

朱宪国表示，IT与消费性电子需求仍保守，「十一」长假后面板厂控产导致产能利用率下滑5至10%，手机市场呈现高低阶分化。中国双十一备货热度不如以往，美国取消800美元以下免税政策，也冲击跨境电商。全球汽车市场总量持平，但结构转变剧烈，中系车厂扩张、欧美日车厂于中国销售下滑，欧洲车厂产能利用率仅约55%。

力积电强调，公司仍持续留意美国针对半导体的「特殊重点关税」政策未定、地缘政治可能带来的转单效应，以及AI记忆体需求过热的潜在风险。未来AI伺服器除HBM外，采用3D NAND技术的HBF（High Bandwidth Flash）亦被视为具成本优势的新方向。

力积电表示，记忆体代工采投片定价，近月涨价效应将自11月起反映于出货价格；DRAM代工价格第四季仍将续扬。Q4整体产能利用率预期与Q3持平，记忆体满载、逻辑需求略弱。Interposer量产良率远高于70%。

力积电说明，印度Tata合作案的权利金金额超过新台币200亿元，依合约里程碑分阶段入帐，厂房已开工，预计2027年以后才有机会量产。与纳微半导体（Navitas）合作持续推进，随台积电退出6吋GaN市场，力积电有望承接部分转单。

 

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